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MS12N120HDC0
IC

TO-247

可供量大可议

MS12N120HDC0

MS12N120HDC0 高压 N 沟道功率 MOSFET, TO‑247 直插封装, 100% 雪崩测试, 优化栅极电荷, 导通电阻低, 适合 SMPS 同步整流、高速功率开关、硬开关高频高压电路。

品牌

MASPOWER

封装

TO-247

库存

30

货期

现货

MS12N120HDC0参数

封装TO-247
品牌MASPOWER(麦思浦)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存30

MS12N120HDC0概述

MS12N120HDC0 高压 N 沟道功率 MOSFET, TO‑247 直插封装, 100% 雪崩测试, 优化栅极电荷, 导通电阻低, 适合 SMPS 同步整流、高速功率开关、硬开关高频高压电路。

MS12N120HDC0特性

暂无产品特性。

MS12N120HDC0应用领域

暂无应用领域。

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