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MS11P20IDT0
IC

TO-220

可供量大可议

MS11P20IDT0

MS11P20IDT0 P沟道功率MOSFET, -200V -11A 460mΩ, TO‑220直插封装, 雪崩电压、电流参数完整表征, 高雪崩能量 EAS, 器件稳定性与一致性优异, 封装散热性能良好, 适用于功率开关、硬开关高频电路、UPS 电源等负压功率变换场景。

品牌

MASPOWER

封装

TO-220

库存

50

货期

现货

MS11P20IDT0参数

封装TO-220
品牌MASPOWER(麦思浦)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存50

MS11P20IDT0概述

MS11P20IDT0 P沟道功率MOSFET, -200V -11A 460mΩ, TO‑220直插封装, 雪崩电压、电流参数完整表征, 高雪崩能量 EAS, 器件稳定性与一致性优异, 封装散热性能良好, 适用于功率开关、硬开关高频电路、UPS 电源等负压功率变换场景。

MS11P20IDT0特性

暂无产品特性。

MS11P20IDT0应用领域

暂无应用领域。

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