MS11N80HCT1
IC
TO-220F
可供量大可议
MS11N80HCT1
MS11N80HCT1 超级结N沟道 MOSFET 800V 11A 0.58Ω TO-220F。 低栅荷、超快开关、雪崩测试、低损耗， 适 PFC、SMPS、UPS、适配器。
品牌
MASPOWER
封装
TO-220F
库存
50
货期
现货
MS11N80HCT1参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | MASPOWER(麦思浦) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
MS11N80HCT1概述
MS11N80HCT1 超级结N沟道 MOSFET 800V 11A 0.58Ω TO-220F。 低栅荷、超快开关、雪崩测试、低损耗， 适 PFC、SMPS、UPS、适配器。
MS11N80HCT1特性
暂无产品特性。
MS11N80HCT1应用领域
暂无应用领域。