MS10NH100HGE0
IC
TO-263
可供量大可议
MS10NH100HGE0
MS10NH100HGE0 耗尽型N 沟道 MOSFET 1000V 10A 1.1Ω TO-263。 高压雪崩、低损耗， 常开模式， 适用于负载、音频放大、启动电路、保护电路。
品牌
MASPOWER
封装
TO-263
库存
15
货期
现货
MS10NH100HGE0参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | MASPOWER(麦思浦) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 15 |
MS10NH100HGE0概述
MS10NH100HGE0 耗尽型N 沟道 MOSFET 1000V 10A 1.1Ω TO-263。 高压雪崩、低损耗， 常开模式， 适用于负载、音频放大、启动电路、保护电路。
MS10NH100HGE0特性
暂无产品特性。
MS10NH100HGE0应用领域
暂无应用领域。