MS10N65F
IC
TO-220F
可供量大可议
MS10N65F
此款N沟道MOSFET采用TO-220F封装， 漏源电压(Vdss)：650V， 漏极电流(Id)：10A具有低导通电阻和快速开关功能， 漏源导通电阻 (RDS(on))：0.95Ω@ VGS=10V， 可适用于开关电源、电机驱动、LED照明、电池管理系统、消费类电子产品等， 满足你的电路设计需求
品牌
MSKSEMI
封装
TO-220F
库存
200
货期
现货
MS10N65F参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 200 |
MS10N65F概述
此款N沟道MOSFET采用TO-220F封装， 漏源电压(Vdss)：650V， 漏极电流(Id)：10A具有低导通电阻和快速开关功能， 漏源导通电阻 (RDS(on))：0.95Ω@ VGS=10V， 可适用于开关电源、电机驱动、LED照明、电池管理系统、消费类电子产品等， 满足你的电路设计需求
MS10N65F特性
暂无产品特性。
MS10N65F应用领域
暂无应用领域。