MS10N100HGE0
IC
TO-263
可供量大可议
MS10N100HGE0
MS10N100HGE0， N沟道MOSFET 1000V 10A 1.45Ω TO-263。 低 Rds、雪崩、高速、低损耗， 适用高效开关电源、LED电源等。
品牌
MASPOWER
封装
TO-263
库存
50
货期
现货
MS10N100HGE0参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | MASPOWER(麦思浦) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
MS10N100HGE0概述
MS10N100HGE0， N沟道MOSFET 1000V 10A 1.45Ω TO-263。 低 Rds、雪崩、高速、低损耗， 适用高效开关电源、LED电源等。
MS10N100HGE0特性
暂无产品特性。
MS10N100HGE0应用领域
暂无应用领域。