MS10N100HCD0
IC
TO-252
可供量大可议
MS10N100HCD0
MS10N100HCD0 N 沟道 MOSFET 1000V 10A 0.96Ω TO-252。 低 Crss、低栅荷、雪崩测试、高速， 改进dv/dt， 适用于通用开关应用。
品牌
MASPOWER
封装
TO-252
库存
100
货期
现货
MS10N100HCD0参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | MASPOWER(麦思浦) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
MS10N100HCD0概述
MS10N100HCD0 N 沟道 MOSFET 1000V 10A 0.96Ω TO-252。 低 Crss、低栅荷、雪崩测试、高速， 改进dv/dt， 适用于通用开关应用。
MS10N100HCD0特性
暂无产品特性。
MS10N100HCD0应用领域
暂无应用领域。