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MPW04NA2
IC

TO-3PH

可供量大可议

MPW04NA2

N沟道 漏源电压(Vdss):1200V 连续漏极电流(Id):4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):2.9Ω

品牌

MP

封装

TO-3PH

库存

53

货期

现货

MPW04NA2参数

封装TO-3PH
品牌MP(美禄科技)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存53

MPW04NA2概述

N沟道 漏源电压(Vdss):1200V 连续漏极电流(Id):4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):2.9Ω

MPW04NA2特性

暂无产品特性。

MPW04NA2应用领域

暂无应用领域。

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