库存与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
MPU04N65
IC

TO-251

可供量大可议

MPU04N65

N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):2.3Ω

品牌

MP

封装

TO-251

库存

10

货期

现货

MPU04N65参数

封装TO-251
品牌MP(美禄科技)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存10

MPU04N65概述

N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):2.3Ω

MPU04N65特性

暂无产品特性。

MPU04N65应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件