MPT120N10S
IC
TO-263
可供量大可议
MPT120N10S
数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):120A 导通电阻(RDS(on)):4.6mΩ@10V
品牌
minos
封装
TO-263
库存
658
货期
现货
MPT120N10S参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | minos(迈诺斯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 658 |
MPT120N10S概述
数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):120A 导通电阻(RDS(on)):4.6mΩ@10V
MPT120N10S特性
暂无产品特性。
MPT120N10S应用领域
暂无应用领域。