MPT08N10P
IC
TO-220
可供量大可议
MPT08N10P
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：83W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：7.5mΩ@10V, 30A
品牌
minos
封装
TO-220
库存
85
货期
现货
MPT08N10P参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | minos(迈诺斯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 85 |
MPT08N10P概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：83W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：7.5mΩ@10V, 30A
MPT08N10P特性
暂无产品特性。
MPT08N10P应用领域
暂无应用领域。