MPT045N08S
IC
TO-263
可供量大可议
MPT045N08S
N沟道增强型功率MOSFET通过先进的双沟槽技术获得， 可降低传导损耗， 提高开关性能并增强雪崩能量。 适用于电机驱动器和高速开关应用。
品牌
minos
封装
TO-263
库存
1,768
货期
现货
MPT045N08S参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | minos(迈诺斯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1768 |
MPT045N08S概述
N沟道增强型功率MOSFET通过先进的双沟槽技术获得， 可降低传导损耗， 提高开关性能并增强雪崩能量。 适用于电机驱动器和高速开关应用。
MPT045N08S特性
暂无产品特性。
MPT045N08S应用领域
暂无应用领域。