MPT042N10S
IC
TO-263
可供量大可议
MPT042N10S
N沟道增强型功率MOSFET采用先进的双沟槽技术， 可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。 该器件适用于电机驱动器和高速开关应用。
品牌
minos
封装
TO-263
库存
490
货期
现货
MPT042N10S参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | minos(迈诺斯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 490 |
MPT042N10S概述
N沟道增强型功率MOSFET采用先进的双沟槽技术， 可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。 该器件适用于电机驱动器和高速开关应用。
MPT042N10S特性
暂无产品特性。
MPT042N10S应用领域
暂无应用领域。