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MPT037N08
IC

TO-263

可供量大可议

MPT037N08

N沟道增强型功率MOSFET采用先进的双沟槽技术, 可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。 这是适用于电池管理系统(BMS)和大电流开关应用的理想器件。

品牌

minos

封装

TO-263

库存

484

货期

现货

MPT037N08参数

封装TO-263
品牌minos(迈诺斯)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存484

MPT037N08概述

N沟道增强型功率MOSFET采用先进的双沟槽技术, 可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。 这是适用于电池管理系统(BMS)和大电流开关应用的理想器件。

MPT037N08特性

暂无产品特性。

MPT037N08应用领域

暂无应用领域。

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