MPT028N10
IC
TO-220
可供量大可议
MPT028N10
N-channel Enhanced Power MOSFETs， 是通过先进的双沟槽技术获得的， 该技术可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。 适用于BMS和高电流开关应用。
品牌
minos
封装
TO-220
库存
86
货期
现货
MPT028N10参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | minos(迈诺斯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 86 |
MPT028N10概述
N-channel Enhanced Power MOSFETs， 是通过先进的双沟槽技术获得的， 该技术可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。 适用于BMS和高电流开关应用。
MPT028N10特性
暂无产品特性。
MPT028N10应用领域
暂无应用领域。