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MPT023N10-T
IC

TOLL-8L

可供量大可议

MPT023N10-T

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):326A 功率(Pd):416.6W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):1.4mΩ@10V, 50A

品牌

minos

封装

TOLL-8L

库存

4,067

货期

现货

MPT023N10-T参数

封装TOLL-8L
品牌minos(迈诺斯)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存4067

MPT023N10-T概述

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):326A 功率(Pd):416.6W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):1.4mΩ@10V, 50A

MPT023N10-T特性

暂无产品特性。

MPT023N10-T应用领域

暂无应用领域。

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