MPS8550S-D-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
MPS8550S-D-HXY
此款PNP型三极管(BJT)专为高效能电路设计, 集电极电流IC可达1.5A, 确保了在负载管理中的良好表现。 其集电极-发射极电压VCEO为25V, 适用于广泛的电源管理应用。 直流电流增益HFE范围在200至350之间, 表现出优秀的放大性能。 此外, 该三极管的过渡频率FT高达100MHz, 使其在高频应用中也能保持稳定性能。 这些特性使它成为需要精密信号放大和快速响应电路的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
200
货期
现货
MPS8550S-D-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 200 |
MPS8550S-D-HXY概述
此款PNP型三极管(BJT)专为高效能电路设计, 集电极电流IC可达1.5A, 确保了在负载管理中的良好表现。 其集电极-发射极电压VCEO为25V, 适用于广泛的电源管理应用。 直流电流增益HFE范围在200至350之间, 表现出优秀的放大性能。 此外, 该三极管的过渡频率FT高达100MHz, 使其在高频应用中也能保持稳定性能。 这些特性使它成为需要精密信号放大和快速响应电路的理想选择。
MPS8550S-D-HXY特性
暂无产品特性。
MPS8550S-D-HXY应用领域
暂无应用领域。
