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MPS8550S-D-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

MPS8550S-D-HXY

此款PNP型三极管(BJT)专为高效能电路设计, 集电极电流IC可达1.5A, 确保了在负载管理中的良好表现。 其集电极-发射极电压VCEO为25V, 适用于广泛的电源管理应用。 直流电流增益HFE范围在200至350之间, 表现出优秀的放大性能。 此外, 该三极管的过渡频率FT高达100MHz, 使其在高频应用中也能保持稳定性能。 这些特性使它成为需要精密信号放大和快速响应电路的理想选择。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

200

货期

现货

MPS8550S-D-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 50
分类三极管(BJT)
库存200

MPS8550S-D-HXY概述

此款PNP型三极管(BJT)专为高效能电路设计, 集电极电流IC可达1.5A, 确保了在负载管理中的良好表现。 其集电极-发射极电压VCEO为25V, 适用于广泛的电源管理应用。 直流电流增益HFE范围在200至350之间, 表现出优秀的放大性能。 此外, 该三极管的过渡频率FT高达100MHz, 使其在高频应用中也能保持稳定性能。 这些特性使它成为需要精密信号放大和快速响应电路的理想选择。

MPS8550S-D-HXY特性

暂无产品特性。

MPS8550S-D-HXY应用领域

暂无应用领域。

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