MPQ5850GJ-AEC1-Z
IC
TSOT-23-8
可供量大可议
MPQ5850GJ-AEC1-Z
MPQ5850是一款智能二极管控制器, 可驱动外部N沟道MOSFET, 以替代肖特基二极管实现反向输入保护。 该器件的20mV超低压降可将功率损耗降至最低, 并能实现较低的最小输入电压, 这使得MPQ5850非常适合汽车应用中的冷启动条件。 4μA的关断电流也使该器件成为电池供电应用的理想选择。 超快速瞬态响应满足严格的ISO16750要求。 MPQ5850集成了内部升压电路, 即使在低输入电压(VIN)下, 也能提供开启外部N沟道MOSFET所需的升压电压。 漏极开路的电源正常信号可指示外部N沟道MOSFET何时完全导通。 MPQ5850采用TSOT23 - 8(2mmx3mm)封装。
品牌
MPS
封装
TSOT-23-8
库存
99
货期
现货
MPQ5850GJ-AEC1-Z参数
| 封装 | TSOT-23-8 |
|---|---|
| 品牌 | MPS(芯源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 理想二极管/ORing控制器 |
|---|---|
| 库存 | 99 |
MPQ5850GJ-AEC1-Z概述
MPQ5850是一款智能二极管控制器, 可驱动外部N沟道MOSFET, 以替代肖特基二极管实现反向输入保护。 该器件的20mV超低压降可将功率损耗降至最低, 并能实现较低的最小输入电压, 这使得MPQ5850非常适合汽车应用中的冷启动条件。 4μA的关断电流也使该器件成为电池供电应用的理想选择。 超快速瞬态响应满足严格的ISO16750要求。 MPQ5850集成了内部升压电路, 即使在低输入电压(VIN)下, 也能提供开启外部N沟道MOSFET所需的升压电压。 漏极开路的电源正常信号可指示外部N沟道MOSFET何时完全导通。 MPQ5850采用TSOT23 - 8(2mmx3mm)封装。
MPQ5850GJ-AEC1-Z特性
暂无产品特性。
MPQ5850GJ-AEC1-Z应用领域
暂无应用领域。
