MPP10N65A
IC
PTO-252
可供量大可议
MPP10N65A
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：10A 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：0.8Ω
品牌
MP
封装
PTO-252
库存
155
货期
现货
MPP10N65A参数
| 封装 | PTO-252 |
|---|---|
| 品牌 | MP(美禄科技) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 155 |
MPP10N65A概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：10A 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：0.8Ω
MPP10N65A特性
暂无产品特性。
MPP10N65A应用领域
暂无应用领域。