MPG30N10P
IC
TO-220
可供量大可议
MPG30N10P
数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):30A 导通电阻(RDS(on)):25mΩ@10V
品牌
minos
封装
TO-220
库存
750
货期
现货
MPG30N10P参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | minos(迈诺斯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 750 |
MPG30N10P概述
数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):30A 导通电阻(RDS(on)):25mΩ@10V
MPG30N10P特性
暂无产品特性。
MPG30N10P应用领域
暂无应用领域。