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MPF18N50
IC

TO-220F

可供量大可议

MPF18N50

N沟道 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id):18A 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):0.27Ω

品牌

MP

封装

TO-220F

库存

3

货期

现货

MPF18N50参数

封装TO-220F
品牌MP(美禄科技)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存3

MPF18N50概述

N沟道 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id):18A 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):0.27Ω

MPF18N50特性

暂无产品特性。

MPF18N50应用领域

暂无应用领域。

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