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MPF10N65B
IC

TO-220F

可供量大可议

MPF10N65B

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V, 连续漏极电流(Id):10A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):0.82Ω

品牌

MP

封装

TO-220F

库存

995

货期

现货

MPF10N65B参数

封装TO-220F
品牌MP(美禄科技)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存995

MPF10N65B概述

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V, 连续漏极电流(Id):10A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):0.82Ω

MPF10N65B特性

暂无产品特性。

MPF10N65B应用领域

暂无应用领域。

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