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MPF04N65
IC

TO-220F

可供量大可议

MPF04N65

N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):2.3Ω

品牌

MP

封装

TO-220F

库存

120

货期

现货

MPF04N65参数

封装TO-220F
品牌MP(美禄科技)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存120

MPF04N65概述

N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):2.3Ω

MPF04N65特性

暂无产品特性。

MPF04N65应用领域

暂无应用领域。

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