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MPD05N50B
IC

TO-252

可供量大可议

MPD05N50B

N沟道 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id):5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):2.0Ω

品牌

MP

封装

TO-252

库存

250

货期

现货

MPD05N50B参数

封装TO-252
品牌MP(美禄科技)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存250

MPD05N50B概述

N沟道 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id):5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):2.0Ω

MPD05N50B特性

暂无产品特性。

MPD05N50B应用领域

暂无应用领域。

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