MP3150-G(B)
IC
DIP-8
可供量大可议
MP3150-G(B)
驱动光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：20kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：250ns； 250ns 电源电压：15V~30V 高抗噪能力、1.0A输出电流、栅极驱动光电耦合器， 可驱动大部分800V/20A IGBT/MOSFET。 它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率IGBT或MOSFET
品牌
MP
封装
DIP-8
库存
35
货期
现货
MP3150-G(B)参数
| 封装 | DIP-8 |
|---|---|
| 品牌 | MP(美禄科技) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 栅极驱动光耦 |
|---|---|
| 库存 | 35 |
MP3150-G(B)概述
驱动光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：20kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：250ns； 250ns 电源电压：15V~30V 高抗噪能力、1.0A输出电流、栅极驱动光电耦合器， 可驱动大部分800V/20A IGBT/MOSFET。 它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率IGBT或MOSFET
MP3150-G(B)特性
暂无产品特性。
MP3150-G(B)应用领域
暂无应用领域。