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MOC8204M
IC

DIP-6

可供量大可议

MOC8204M

4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 为光电晶体管型光耦合光绝缘体。 砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管进行耦合。 该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。

品牌

onsemi

封装

DIP-6

库存

48

货期

现货

MOC8204M参数

封装DIP-6
品牌onsemi(安森美)
MOQ / SPQ1 / 1
分类晶体管输出光耦
库存48

MOC8204M概述

4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 为光电晶体管型光耦合光绝缘体。 砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管进行耦合。 该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。

MOC8204M特性

暂无产品特性。

MOC8204M应用领域

暂无应用领域。

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