MOC3051M
自营可供
IC
DIP-6
MOC3051M
可控硅输出光耦 双向可控硅 4.17kV 1.18V
品牌
ON
封装
DIP-6
交期
现货
批次
26+
MOC3051M参数
| 封装 | DIP-6 |
|---|---|
| 品牌 | ON(安森美) |
| 批次 | 26+ |
| 通道数 | 1 |
| 可控硅类型 | 双向可控硅 |
| 输出电流(It(rms)) | 100mA |
| 正向电流 | 60mA |
| 隔离电压(Vrms) | 4.17kV |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
| 保持电流(Ih) | 220uA |
| 功能特性 | 随机相位触发； 集成噪声抑制电路 |
| 商品型号 | MOC3051M |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000893 |
| 分类 | 可控硅输出光耦 |
|---|---|
| 库存 | 1,000 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 过零功能 | 无 |
| 负载电压 | 600V |
| 正向压降(Vf) | 1.18V |
| 静态dv/dt | 1000V/us |
| 耗散功率(Pd) | 330mW |
| 端子数 | 6 |
| 浪涌电流 | 1A |
| 商品名称 | 双向可控硅 无过零电路 1通道 |
| 包装方式 | 管装 |
| 商品类型 | 可控硅输出光耦 |
MOC3051M概述
可控硅输出光耦 双向可控硅 4.17kV 1.18V
MOC3051M特性
- 出色的IFT稳定性
- 红外发光二极管衰减率低
- 600 V峰值阻断电压
- 获得安全和法规认证