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MMUN2235
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IC

SOT23

MMUN2235

品牌

CBI

封装

SOT23

交期

现货

批次

—

MMUN2235参数

封装SOT23
品牌CBI(创基)
MOQ / SPQ1 / 1
集射极击穿电压(Vceo)50V
耗散功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE)80
电阻比率0.056
集电极截止电流(Icbo)100nA
分类数字晶体管
库存3,000
数量1个NPN-预偏置
集电极电流(Ic)100mA
晶体管类型NPN
输入电阻2.86kΩ
集射极饱和电压(VCE(sat))250mV

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