MMUN2235
IC
SOT23
可供量大可议
MMUN2235
品牌
CBI
封装
SOT23
库存
3,000
货期
现货
MMUN2235参数
| 封装 | SOT23 |
|---|---|
| 品牌 | CBI(创基) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 直流电流增益(hFE) | 80 |
| 电阻比率 | 0.056 |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
| 分类 | 数字晶体管 |
|---|---|
| 库存 | 3,000 |
| 数量 | 1个NPN-预偏置 |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 晶体管类型 | NPN |
| 输入电阻 | 2.86kΩ |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV |
MMUN2235概述
暂无产品概述。
MMUN2235特性
暂无产品特性。
MMUN2235应用领域
暂无应用领域。