MMUN2217LT1G
IC
SOT-23
可供量大可议
MMUN2217LT1G
MMUN2217LT1G
品牌
onsemi
封装
SOT-23
库存
1,610
货期
现货
MMUN2217LT1G参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 耗散功率(Pd) | 246mW |
| 直流电流增益(hFE) | 35 |
| 最大输入电压(VI(off)) | 300mV@100uA, 5V |
| 电阻比率 | 0.56 |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
| 商品型号 | MMUN2217LT1G |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 5.2759e-05 |
| 分类 | 数字晶体管 |
|---|---|
| 库存 | 1610 |
| 数量 | 1个NPN-预偏置 |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最小输入电压(VI(on)) | 2.5V@20mA, 0.3V |
| 输入电阻 | 6.1kΩ |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV |
| 商品名称 | MMUN2217LT1G |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 数字晶体管 |
MMUN2217LT1G概述
该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。 偏置电阻晶体管（BRT）包含一个单晶体管和由两个电阻组成的单片偏置网络， 即一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。 BRT 将这些分立元件集成到单个器件中， 从而省去了这些元件。 使用 BRT 可降低系统成本并节省电路板空间。
MMUN2217LT1G特性
- 简化电路设计
- 节省电路板空间
- 减少元件数量
- 适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用的 NSV 前缀
- 符合 AEC
- Q101 标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR）， 并符合 RoHS 标准
MMUN2217LT1G应用领域
暂无应用领域。