MMUN2111
IC
SOT-23
可供量大可议
MMUN2111
数字带阻三极管配置：独立式； 晶体管类型 NPN（内置 10kΩ 偏置电阻）； 1 个预偏置 NPN； 直流电流增益 (hFE) 35； 集电极截止电流 (Icbo) 500nA； 集射极饱和电压 (VCE (sat)) 200mV； 集射极击穿电压 (Vceo) 50V； 射基极击穿电压 (VEBO) 5V； 特征频率 (fT) 70MHz； 集电极电流 (IC) 100mA； 耗散功率 (Pd) 246mW； 工作结温范围 - 55℃~+150℃
品牌
TDD
封装
SOT-23
库存
2,980
货期
现货
MMUN2111参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | TDD(台冠电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 数字晶体管 |
|---|---|
| 库存 | 2980 |
MMUN2111概述
数字带阻三极管配置：独立式； 晶体管类型 NPN（内置 10kΩ 偏置电阻）； 1 个预偏置 NPN； 直流电流增益 (hFE) 35； 集电极截止电流 (Icbo) 500nA； 集射极饱和电压 (VCE (sat)) 200mV； 集射极击穿电压 (Vceo) 50V； 射基极击穿电压 (VEBO) 5V； 特征频率 (fT) 70MHz； 集电极电流 (IC) 100mA； 耗散功率 (Pd) 246mW； 工作结温范围 - 55℃~+150℃
MMUN2111特性
暂无产品特性。
MMUN2111应用领域
暂无应用领域。