MMSZ9V1T1G
IC
SOD-123
可供量大可议
MMSZ9V1T1G
特性：500mW额定功率， 适用于FR-4或FR-5电路板。 齐纳反向电压范围宽， 为2.4V至56V。 封装设计适合优化自动电路板组装。 小封装尺寸， 适用于高密度应用。 人体模型静电放电等级为3级（>16kV）。 通过AEC-Q101认证， 具备生产件批准程序能力。 带有SZ前缀， 适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
品牌
onsemi
封装
SOD-123
库存
6,045
货期
现货
MMSZ9V1T1G参数
| 封装 | SOD-123 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 稳压二极管 |
|---|---|
| 库存 | 6045 |
MMSZ9V1T1G概述
特性：500mW额定功率， 适用于FR-4或FR-5电路板。 齐纳反向电压范围宽， 为2.4V至56V。 封装设计适合优化自动电路板组装。 小封装尺寸， 适用于高密度应用。 人体模型静电放电等级为3级（>16kV）。 通过AEC-Q101认证， 具备生产件批准程序能力。 带有SZ前缀， 适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
MMSZ9V1T1G特性
暂无产品特性。
MMSZ9V1T1G应用领域
暂无应用领域。