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MMSZ5254BT1G-HXY
IC

SOD-123

可供量大可议

MMSZ5254BT1G-HXY

该稳压二极管具有27V的反向击穿电压(VR), 在0.01A的正向电流(IF)下, 正向导通压降(VF)为0.9V, 表现出较低的功耗特性。 反向漏电流(IR)低至0.1μA, 说明其在截止状态下的电流抑制能力较强, 有助于提升电路的稳定性与能效。 该器件适用于需要精确电压基准和过压保护的场合, 常见于电源管理模块、信号调理电路及精密电子设备中, 为敏感电路提供可靠的电压钳位与保护功能。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123

库存

140

货期

现货

MMSZ5254BT1G-HXY参数

封装SOD-123
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类稳压二极管
库存140

MMSZ5254BT1G-HXY概述

该稳压二极管具有27V的反向击穿电压(VR), 在0.01A的正向电流(IF)下, 正向导通压降(VF)为0.9V, 表现出较低的功耗特性。 反向漏电流(IR)低至0.1μA, 说明其在截止状态下的电流抑制能力较强, 有助于提升电路的稳定性与能效。 该器件适用于需要精确电压基准和过压保护的场合, 常见于电源管理模块、信号调理电路及精密电子设备中, 为敏感电路提供可靠的电压钳位与保护功能。

MMSZ5254BT1G-HXY特性

暂无产品特性。

MMSZ5254BT1G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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