MMSZ5254BT1G-HXY
IC
SOD-123
可供量大可议
MMSZ5254BT1G-HXY
该稳压二极管具有27V的反向击穿电压(VR), 在0.01A的正向电流(IF)下, 正向导通压降(VF)为0.9V, 表现出较低的功耗特性。 反向漏电流(IR)低至0.1μA, 说明其在截止状态下的电流抑制能力较强, 有助于提升电路的稳定性与能效。 该器件适用于需要精确电压基准和过压保护的场合, 常见于电源管理模块、信号调理电路及精密电子设备中, 为敏感电路提供可靠的电压钳位与保护功能。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123
库存
140
货期
现货
MMSZ5254BT1G-HXY参数
| 封装 | SOD-123 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 稳压二极管 |
|---|---|
| 库存 | 140 |
MMSZ5254BT1G-HXY概述
该稳压二极管具有27V的反向击穿电压(VR), 在0.01A的正向电流(IF)下, 正向导通压降(VF)为0.9V, 表现出较低的功耗特性。 反向漏电流(IR)低至0.1μA, 说明其在截止状态下的电流抑制能力较强, 有助于提升电路的稳定性与能效。 该器件适用于需要精确电压基准和过压保护的场合, 常见于电源管理模块、信号调理电路及精密电子设备中, 为敏感电路提供可靠的电压钳位与保护功能。
MMSZ5254BT1G-HXY特性
暂无产品特性。
MMSZ5254BT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。
