MMSZ5231B-E3-18
IC
SOD-123
可供量大可议
MMSZ5231B-E3-18
特性：硅平面齐纳二极管。 标准齐纳电压公差：后缀“B”为±5%， 后缀“C”为±2%。 符合AEC-Q101标准。 ESD能力：人体模型>8kV， 机器模型>800V。 基础型号E3：符合RoHS标准， 商业级。 基础型号HE3：符合RoHS标准， 符合AEC-Q101标准
品牌
VISHAY
封装
SOD-123
库存
210
货期
现货
MMSZ5231B-E3-18参数
| 封装 | SOD-123 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 稳压二极管 |
|---|---|
| 库存 | 210 |
MMSZ5231B-E3-18概述
特性：硅平面齐纳二极管。 标准齐纳电压公差：后缀“B”为±5%， 后缀“C”为±2%。 符合AEC-Q101标准。 ESD能力：人体模型>8kV， 机器模型>800V。 基础型号E3：符合RoHS标准， 商业级。 基础型号HE3：符合RoHS标准， 符合AEC-Q101标准
MMSZ5231B-E3-18特性
暂无产品特性。
MMSZ5231B-E3-18应用领域
暂无应用领域。