MMSZ4689T3G
IC
SOD-123
可供量大可议
MMSZ4689T3G
特性：500 mW额定功率（FR-4或FR-5电路板）。 齐纳反向电压范围宽：1.8 V至43 V。 低反向电流 (IZT)：50 μA。 封装设计适合优化自动电路板组装。 小封装尺寸， 适用于高密度应用。 人体模型静电放电等级为3级 (>16 kV)。 带SZ前缀， 适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用； 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力。 这些器件无铅且符合RoHS标准
品牌
onsemi
封装
SOD-123
库存
400
货期
现货
MMSZ4689T3G参数
| 封装 | SOD-123 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 稳压二极管 |
|---|---|
| 库存 | 400 |
MMSZ4689T3G概述
特性：500 mW额定功率（FR-4或FR-5电路板）。 齐纳反向电压范围宽：1.8 V至43 V。 低反向电流 (IZT)：50 μA。 封装设计适合优化自动电路板组装。 小封装尺寸， 适用于高密度应用。 人体模型静电放电等级为3级 (>16 kV)。 带SZ前缀， 适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用； 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力。 这些器件无铅且符合RoHS标准
MMSZ4689T3G特性
暂无产品特性。
MMSZ4689T3G应用领域
暂无应用领域。