MMSF3P02HDR2G-VB
IC
SO-8
可供量大可议
MMSF3P02HDR2G-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单路功率型沟道型MOSFET， 采用Trench工艺， 适用于多种领域的电路设计。 其参数特性使其在低压、低功耗的应用环境中表现出色。 适用于电源管理、LED驱动和电动汽车控制等领域的模块设计， 在提高效率、降低功耗和保证稳定性方面具有显著的优势。 SOP8； P—Channel沟道, -20V； -13A； RDS(ON)=15mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V； Vth=-0.5~-1.2V
品牌
VBsemi
封装
SO-8
库存
180
货期
现货
MMSF3P02HDR2G-VB参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 180 |
MMSF3P02HDR2G-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单路功率型沟道型MOSFET， 采用Trench工艺， 适用于多种领域的电路设计。 其参数特性使其在低压、低功耗的应用环境中表现出色。 适用于电源管理、LED驱动和电动汽车控制等领域的模块设计， 在提高效率、降低功耗和保证稳定性方面具有显著的优势。 SOP8； P—Channel沟道, -20V； -13A； RDS(ON)=15mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V； Vth=-0.5~-1.2V
MMSF3P02HDR2G-VB特性
暂无产品特性。
MMSF3P02HDR2G-VB应用领域
暂无应用领域。