MMSD301T1G-HXY
IC
SOD-123
可供量大可议
MMSD301T1G-HXY
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为0.2A, 最大反向电压为30V。 其正向压降典型值为0.45V, 在低功耗应用中可有效提升能效; 反向漏电流仅为0.5μA, 有助于降低静态功耗。 器件具备4A的峰值正向浪涌电流能力, 适用于对瞬态电流有一定要求的电路环境。 整体参数特性适合用于电源管理、信号整流及高频开关等电子系统中的基础整流与保护功能。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123
库存
70
货期
现货
MMSD301T1G-HXY参数
| 封装 | SOD-123 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 70 |
MMSD301T1G-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为0.2A, 最大反向电压为30V。 其正向压降典型值为0.45V, 在低功耗应用中可有效提升能效; 反向漏电流仅为0.5μA, 有助于降低静态功耗。 器件具备4A的峰值正向浪涌电流能力, 适用于对瞬态电流有一定要求的电路环境。 整体参数特性适合用于电源管理、信号整流及高频开关等电子系统中的基础整流与保护功能。
MMSD301T1G-HXY特性
暂无产品特性。
MMSD301T1G-HXY应用领域
暂无应用领域。
