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MMSD301T1G-HXY
IC

SOD-123

可供量大可议

MMSD301T1G-HXY

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为0.2A, 最大反向电压为30V。 其正向压降典型值为0.45V, 在低功耗应用中可有效提升能效; 反向漏电流仅为0.5μA, 有助于降低静态功耗。 器件具备4A的峰值正向浪涌电流能力, 适用于对瞬态电流有一定要求的电路环境。 整体参数特性适合用于电源管理、信号整流及高频开关等电子系统中的基础整流与保护功能。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123

库存

70

货期

现货

MMSD301T1G-HXY参数

封装SOD-123
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类肖特基二极管
库存70

MMSD301T1G-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为0.2A, 最大反向电压为30V。 其正向压降典型值为0.45V, 在低功耗应用中可有效提升能效; 反向漏电流仅为0.5μA, 有助于降低静态功耗。 器件具备4A的峰值正向浪涌电流能力, 适用于对瞬态电流有一定要求的电路环境。 整体参数特性适合用于电源管理、信号整流及高频开关等电子系统中的基础整流与保护功能。

MMSD301T1G-HXY特性

暂无产品特性。

MMSD301T1G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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