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MMIS90R1K4PTH
IC

TO-251

可供量大可议

MMIS90R1K4PTH

采用先进超结技术的900V N沟道功率MOSFET, 具备低EMI和低开关损耗优势 停产

品牌

MagnaChip

封装

TO-251

库存

3

货期

现货

MMIS90R1K4PTH参数

封装TO-251
品牌MagnaChip(美格纳)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存3

MMIS90R1K4PTH概述

采用先进超结技术的900V N沟道功率MOSFET, 具备低EMI和低开关损耗优势 停产

MMIS90R1K4PTH特性

暂无产品特性。

MMIS90R1K4PTH应用领域

暂无应用领域。

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