MMFTP3334K-AQ-HXY

本产品为P沟道增强型场效应管（MOSFET）， 具备良好的导通与开关特性。 其漏极电流ID为4.1A， 漏源击穿电压VDSS为30V， 导通电阻RDON为48mΩ， 适用于中低功率电源管理系统。 器件采用成熟工艺制造， 具有稳定性和可靠性， 适合用于电源开关、电池管理、负载控制及便携式设备中的DC-DC转换电路， 提供高效的功率调节能力。