MMFTP330K-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
MMFTP330K-HXY
该P沟道场效应管额定漏极电流为5A, 漏源击穿电压20V, 导通电阻30mΩ。 器件在20V电压范围内工作, 低导通电阻有助于降低通路损耗。 其特性适用于电池组保护、便携式设备负载开关及电源管理模块。 在数码产品、移动终端等消费类电路中, 可用于电平转换、反向极性保护及功率通断控制, 满足对空间布局与能效有要求的电子系统设计需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
90
货期
现货
MMFTP330K-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
MMFTP330K-HXY概述
该P沟道场效应管额定漏极电流为5A, 漏源击穿电压20V, 导通电阻30mΩ。 器件在20V电压范围内工作, 低导通电阻有助于降低通路损耗。 其特性适用于电池组保护、便携式设备负载开关及电源管理模块。 在数码产品、移动终端等消费类电路中, 可用于电平转换、反向极性保护及功率通断控制, 满足对空间布局与能效有要求的电子系统设计需求。
MMFTP330K-HXY特性
暂无产品特性。
MMFTP330K-HXY应用领域
暂无应用领域。
