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MMFTP330K-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

MMFTP330K-HXY

该P沟道场效应管额定漏极电流为5A, 漏源击穿电压20V, 导通电阻30mΩ。 器件在20V电压范围内工作, 低导通电阻有助于降低通路损耗。 其特性适用于电池组保护、便携式设备负载开关及电源管理模块。 在数码产品、移动终端等消费类电路中, 可用于电平转换、反向极性保护及功率通断控制, 满足对空间布局与能效有要求的电子系统设计需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

90

货期

现货

MMFTP330K-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存90

MMFTP330K-HXY概述

该P沟道场效应管额定漏极电流为5A, 漏源击穿电压20V, 导通电阻30mΩ。 器件在20V电压范围内工作, 低导通电阻有助于降低通路损耗。 其特性适用于电池组保护、便携式设备负载开关及电源管理模块。 在数码产品、移动终端等消费类电路中, 可用于电平转换、反向极性保护及功率通断控制, 满足对空间布局与能效有要求的电子系统设计需求。

MMFTP330K-HXY特性

暂无产品特性。

MMFTP330K-HXY应用领域

暂无应用领域。

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