MMFTN3404A-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源击穿电压（VDSS）和5.8A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDS(ON)）低至22毫欧。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升整体效率， 在开关电源、便携式设备及各类电子负载控制电路中具有良好的适用性。 器件采用标准封装形式， 便于在高密度电路板上布局， 适合对功耗和空间有较高要求的应用场景。