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MMFTN3019E
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IC

SOT-523-3

MMFTN3019E

未分类

品牌

ST

封装

SOT-523-3

交期

现货

批次

26+

MMFTN3019E参数

封装SOT-523-3
品牌ST(先科)
批次26+
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))8Ω@4V
阈值电压(Vgs(th))1.5V
反向传输电容(Crss)4pF
输出电容(Coss)9pF
商品名称1个N沟道 耐压:30V 电流:100mA
包装方式编带
商品类型场效应管(MOSFET)
分类场效应管(MOSFET)
库存83,490
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)30V
耗散功率(Pd)150mW
输入电容(Ciss)13pF
类型N沟道
栅极电压(Vgs)±20V
商品型号MMFTN3019E
单位个
商品重量1.5e-05

MMFTN3019E概述

未分类

MMFTN3019E特性

  • 低导通电阻
  • 快速开关速度
  • 低电压驱动, 使该器件非常适合便携式设备
  • 驱动电路可以很简单
  • 易于并联使用

MMFTN3019E应用领域

  • 接口、开关

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