MMDT4146-7-F-HXY
IC
SOT-363
可供量大可议
MMDT4146-7-F-HXY
此款NPN与PNP组合型三极管(BJT)集电极电流IC为0.2A, 适合于中小功率电路设计。 最大集-射极电压VCEO达到40V, 确保在多种操作环境下的稳定表现。 直流电流增益HFE范围是100至300, 体现了出色的信号放大能力, 能够精准地增强信号强度。 其高过渡频率FT为300MHz, 特别适用于需要高速响应和精确放大的应用场合, 如无线通信设备、音频处理及精密测量仪器等, 满足对性能和效率有较高要求的电子设计需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-363
库存
80
货期
现货
MMDT4146-7-F-HXY参数
| 封装 | SOT-363 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 80 |
MMDT4146-7-F-HXY概述
此款NPN与PNP组合型三极管(BJT)集电极电流IC为0.2A, 适合于中小功率电路设计。 最大集-射极电压VCEO达到40V, 确保在多种操作环境下的稳定表现。 直流电流增益HFE范围是100至300, 体现了出色的信号放大能力, 能够精准地增强信号强度。 其高过渡频率FT为300MHz, 特别适用于需要高速响应和精确放大的应用场合, 如无线通信设备、音频处理及精密测量仪器等, 满足对性能和效率有较高要求的电子设计需求。
MMDT4146-7-F-HXY特性
暂无产品特性。
MMDT4146-7-F-HXY应用领域
暂无应用领域。
