MMDL770T1G-HXY
IC
SOD-323
可供量大可议
MMDL770T1G-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流为0.07A, 最大反向电压达70V。 其正向压降为1V, 在70V反向电压下漏电流低至0.1μA, 表现出良好的反向阻断能力与较低的静态损耗。 器件可承受的峰值正向浪涌电流为0.1A, 适用于对低功耗和高稳定性有要求的小信号整流、高频检波及电源保护等电子电路中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-323
库存
2,740
货期
现货
MMDL770T1G-HXY参数
| 封装 | SOD-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 2740 |
MMDL770T1G-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流为0.07A, 最大反向电压达70V。 其正向压降为1V, 在70V反向电压下漏电流低至0.1μA, 表现出良好的反向阻断能力与较低的静态损耗。 器件可承受的峰值正向浪涌电流为0.1A, 适用于对低功耗和高稳定性有要求的小信号整流、高频检波及电源保护等电子电路中。
MMDL770T1G-HXY特性
暂无产品特性。
MMDL770T1G-HXY应用领域
暂无应用领域。
