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MMDL770T1G-HXY
IC

SOD-323

可供量大可议

MMDL770T1G-HXY

该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流为0.07A, 最大反向电压达70V。 其正向压降为1V, 在70V反向电压下漏电流低至0.1μA, 表现出良好的反向阻断能力与较低的静态损耗。 器件可承受的峰值正向浪涌电流为0.1A, 适用于对低功耗和高稳定性有要求的小信号整流、高频检波及电源保护等电子电路中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-323

库存

2,740

货期

现货

MMDL770T1G-HXY参数

封装SOD-323
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类肖特基二极管
库存2740

MMDL770T1G-HXY概述

该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流为0.07A, 最大反向电压达70V。 其正向压降为1V, 在70V反向电压下漏电流低至0.1μA, 表现出良好的反向阻断能力与较低的静态损耗。 器件可承受的峰值正向浪涌电流为0.1A, 适用于对低功耗和高稳定性有要求的小信号整流、高频检波及电源保护等电子电路中。

MMDL770T1G-HXY特性

暂无产品特性。

MMDL770T1G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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