MMBZ9V1AL
IC
SOT-23
可供量大可议
MMBZ9V1AL
特性：SOT-23封装允许两种独立的单向配置或单双向配置。 工作峰值反向电压6.0 V。 标准齐纳击穿电压9.1 V。 峰值功率24 W（单向）@ 1.0ms（图6波形）。 ESD等级：人体模型3B级（>16 kV）， 机器模型C级（>400 V）。 IEC61000-4-2 4级ESD等级， ±30 kV接触放电。 低泄漏< 5.0 μA
品牌
FUXINSEMI
封装
SOT-23
库存
6,090
货期
现货
MMBZ9V1AL参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | FUXINSEMI(富芯森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 稳压二极管 |
|---|---|
| 库存 | 6090 |
MMBZ9V1AL概述
特性：SOT-23封装允许两种独立的单向配置或单双向配置。 工作峰值反向电压6.0 V。 标准齐纳击穿电压9.1 V。 峰值功率24 W（单向）@ 1.0ms（图6波形）。 ESD等级：人体模型3B级（>16 kV）， 机器模型C级（>400 V）。 IEC61000-4-2 4级ESD等级， ±30 kV接触放电。 低泄漏< 5.0 μA
MMBZ9V1AL特性
暂无产品特性。
MMBZ9V1AL应用领域
暂无应用领域。