MMBZ27VALT3G
自营可供
IC
SOT-23
MMBZ27VALT3G
这些双片式硅齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。 它们适用于对电压和静电放电敏感的设备， 如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等其他应用。 其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。 这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
品牌
onsemi
封装
SOT-23
交期
现货
批次
—
MMBZ27VALT3G参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 反向工作电压(Vrwm) | 22V |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 1A |
| 击穿电压(VBR) | 25.65V |
| 通道数 | 双路 |
| 商品名称 | 齐纳二极管， 24和40瓦峰值功率 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 500 |
| 极性 | 单向 |
| 钳位电压 | 40V |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 40W |
| 反向漏电流(Ir) | 50nA |
| 类型 | ESD |
| 商品型号 | MMBZ27VALT3G |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 3e-05 |
MMBZ27VALT3G概述
这些双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。 它们适用于对电压和静电放电 (ESD) 敏感的设备， 如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。 其双结共阳极设计仅用一个封装就能保护两条独立线路。 这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
MMBZ27VALT3G特性
- SOT
- 23 封装， 可实现两种独立的单向配置或单一的双向配置
- 标准齐纳击穿电压范围：5.6 V 至 47 V
- 峰值功率：按图 6 波形， 1.0 ms 时为 24 或 40W（单向）
- ESD 等级：
- 人体模型 3B 级（>16 kV）
- 机器模型 C 级（>400 V）
- IEC61000
- 4
- 2 标准 4 级 ESD 等级， ±30 kV 接触放电
- 峰值脉冲电流下的最大钳位电压
- 低泄漏电流 < 5.0 μA
- 阻燃等级 UL 94 V
- 0
- 汽车及其他需要特定产地和控制变更要求的应用采用 SZ 前缀
- 符合 AEC
- Q101 标准且具备生产件批准程序 (PPAP) 能力
- 这些器件无铅且符合 RoHS 标准
MMBZ27VALT3G应用领域
- 计算机-打印机-商用机器-通信系统-医疗设备