MMBZ18VALT1G
自营可供
IC
SOT-23
MMBZ18VALT1G
ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 14.5V 18Vbr 25Vc 3-Pin SOT-23
品牌
ON
封装
SOT-23
交期
现货
批次
26+
MMBZ18VALT1G参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | ON(安森美) |
| 批次 | 26+ |
| 极性 | 单向 |
| 钳位电压 | 25V |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 40W |
| 反向漏电流(Ir) | 50nA |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 类型 | ESD |
| 商品型号 | MMBZ18VALT1G |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 3e-05 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 55,284 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 反向工作电压(Vrwm) | 14.5V |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 1.6A |
| 击穿电压(VBR) | 17.1V |
| 通道数 | 双路 |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 |
| 商品名称 | 单向ESD 14.5V截止 峰值脉冲电流：1.6A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
MMBZ18VALT1G概述
ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 14.5V 18Vbr 25Vc 3-Pin SOT-23
MMBZ18VALT1G特性
- SOT-23封装允许采用两种独立的单向配置或单双向配置
- 工作峰值反向电压范围：3V至26V
- 标准齐纳击穿电压范围：5.6V至47V
- 峰值功率：在1.0ms时为24W或40W（单向）， 见图6波形
- 静电放电等级：
- 人体模型3B级（>16kV）
- 机器模型C级（>400V）
- IEC61000
- 4
- 2标准4级静电放电等级， ±30kV接触放电
- 峰值脉冲电流下的最大钳位电压
- 低漏电流<5.0μA
- 阻燃等级UL 94 V
- 0
- 适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用的SZ前缀
- 符合AEC
- Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
MMBZ18VALT1G应用领域
- 计算机
- 打印机
- 商用机器
- 通信系统
- 医疗设备