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MMBTH81
IC

SOT-23

可供量大可议

MMBTH81

三极管(BJT) 225mW 20V 50mA PNP

品牌

ON

封装

SOT-23

库存

29,085

货期

现货

MMBTH81参数

封装SOT-23
品牌ON(安森美)
批次26+
晶体管类型PNP
集射极击穿电压(Vceo)20V
直流电流增益(hFE)60
集电极截止电流(Icbo)100nA
工作温度-55℃~+150℃
数量1个PNP
分类三极管(BJT)
库存29,085
MOQ / SPQ1 / 1
集电极电流(Ic)50mA
耗散功率(Pd)225mW
特征频率(fT)600MHz
集射极饱和电压(VCE(sat))500mV
射基极击穿电压(Vebo)3V

MMBTH81概述

三极管(BJT) 225mW 20V 50mA PNP

MMBTH81特性

暂无产品特性。

MMBTH81应用领域

暂无应用领域。

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