MMBTA56WT1G-HXY
IC
SOT-323
可供量大可议
MMBTA56WT1G-HXY
这款PNP型三极管(BJT)具有0.6A的集电极电流(IC)和150V的集电极-发射极电压(VCEO), 适用于需要中等功率处理能力的应用。 其直流电流增益HFE范围为100至300, 确保了在信号放大应用中的高效性能。 特征频率FT达到100MHz, 保证了在高频操作环境下的稳定性和响应速度。 此三极管非常适合于构建音频放大器、电源管理电路及各类信号处理模块, 提供可靠且灵活的设计选择, 满足多种电子设备的需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-323
库存
2,700
货期
现货
MMBTA56WT1G-HXY参数
| 封装 | SOT-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 2700 |
MMBTA56WT1G-HXY概述
这款PNP型三极管(BJT)具有0.6A的集电极电流(IC)和150V的集电极-发射极电压(VCEO), 适用于需要中等功率处理能力的应用。 其直流电流增益HFE范围为100至300, 确保了在信号放大应用中的高效性能。 特征频率FT达到100MHz, 保证了在高频操作环境下的稳定性和响应速度。 此三极管非常适合于构建音频放大器、电源管理电路及各类信号处理模块, 提供可靠且灵活的设计选择, 满足多种电子设备的需求。
MMBTA56WT1G-HXY特性
暂无产品特性。
MMBTA56WT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。
