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MMBTA56WT1G-HXY
IC

SOT-323

可供量大可议

MMBTA56WT1G-HXY

这款PNP型三极管(BJT)具有0.6A的集电极电流(IC)和150V的集电极-发射极电压(VCEO), 适用于需要中等功率处理能力的应用。 其直流电流增益HFE范围为100至300, 确保了在信号放大应用中的高效性能。 特征频率FT达到100MHz, 保证了在高频操作环境下的稳定性和响应速度。 此三极管非常适合于构建音频放大器、电源管理电路及各类信号处理模块, 提供可靠且灵活的设计选择, 满足多种电子设备的需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-323

库存

2,700

货期

现货

MMBTA56WT1G-HXY参数

封装SOT-323
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类三极管(BJT)
库存2700

MMBTA56WT1G-HXY概述

这款PNP型三极管(BJT)具有0.6A的集电极电流(IC)和150V的集电极-发射极电压(VCEO), 适用于需要中等功率处理能力的应用。 其直流电流增益HFE范围为100至300, 确保了在信号放大应用中的高效性能。 特征频率FT达到100MHz, 保证了在高频操作环境下的稳定性和响应速度。 此三极管非常适合于构建音频放大器、电源管理电路及各类信号处理模块, 提供可靠且灵活的设计选择, 满足多种电子设备的需求。

MMBTA56WT1G-HXY特性

暂无产品特性。

MMBTA56WT1G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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