MMBTA42(200V)
IC
SOT-23
可供量大可议
MMBTA42(200V)
三极管配置：独立式； 晶体管类型 NPN； 1 个 NPN； 直流电流增益 (hFE) 50~250； 集电极截止电流 (Icbo) 100nA； 集射极饱和电压 (VCE (sat)) 350mV； 集射极击穿电压 (Vceo) 200V； 射基极击穿电压 (VEBO)
品牌
TDD
封装
SOT-23
库存
2,980
货期
现货
MMBTA42(200V)参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | TDD(台冠电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 2980 |
MMBTA42(200V)概述
三极管配置：独立式； 晶体管类型 NPN； 1 个 NPN； 直流电流增益 (hFE) 50~250； 集电极截止电流 (Icbo) 100nA； 集射极饱和电压 (VCE (sat)) 350mV； 集射极击穿电压 (Vceo) 200V； 射基极击穿电压 (VEBO)
MMBTA42(200V)特性
暂无产品特性。
MMBTA42(200V)应用领域
暂无应用领域。